特許
J-GLOBAL ID：200903026773799908
サーミスタチップ及びその製造方法
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-268396
公開番号（公開出願番号）：特開平10-116704
出願日： 1996年10月09日
公開日（公表日）： 1998年05月06日
要約：
【要約】【課題】同じ大きさのサーミスタチップ素体を用いても抵抗値が小さくできると共に、半田付の際に半田付け状態がばらつくこと、および、ツームストーンが防止できるサーミスタチップおよびその製造方法を提供することにある。【解決手段】サーミスタチップは、サーミスタチップ素体の両端部に電極が形成されており、この電極は第1金属層と、第1金属層の表面に形成されており、この第1金属層より面積が小さく、且つ互いに対向している第1金属層の端部が露出するように形成された第2金属層と、第2金属層の表面に重なるように形成された第3金属層とを備える。
請求項（抜粋）：
サーミスタチップ素体の両端部に電極が形成されており、該電極は、第1金属層と、該第1金属層の表面に形成されており、この第1金属層より面積が小さく、且つ互いに対向している第1金属層の端部が露出するように形成された第2金属層と、該第2金属層の表面に重なるように形成された第3金属層と、を備えることを特徴とするサーミスタチップ。
IPC (4件)：
H01C 7/04
, H01C 1/14
, H01C 7/00
, H01C 17/28
H01C 7/04
, H01C 1/14 Z
, H01C 7/00 B
, H01C 17/28
