半導体装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-065344
公開番号（公開出願番号）：特開平10-294462
出願日： 1998年03月16日
公開日（公表日）： 1998年11月04日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】半導体装置の金属ストラップポリシリコンゲート構造を実現する簡単で効率的な方法を提供する。【解決手段】金属ストラップポリシリコンゲート構造を有する半導体装置の製造方法において、半導体基板100の表面にゲート誘電体層102を形成するステップと、このゲート誘電体層102上にポリシリコン層103を形成するステップとを有する。ついで、ポリシリコン層103上にマスク層を形成する。次に、マスク層をパターニングしてマスク層パターンを形成する。ついでマスク層パターンをマスクとして用いてポリシリコン層をエッチングしてゲート電極130を形成する。次に、半導体基板100上に絶縁層108を形成し、ついでマスク層パターンを除去する。それにより、ゲート電極130上に未充填領域111を形成する。次に、金属を堆積して未充填領域111を充填する。

請求項（抜粋）：

基板の表面上にゲート誘電体層を形成するステップと、前記ゲート誘電体層上にポシリシリコン層を形成するステップと、前記ポリシリコン層上にマスク層を形成するステップと、前記マスク層をパターンニングしてマスク層パターンを形成するステップと、前記マスク層パターンをマスクとして用いて前記ポリシリコン層をエッチングしてゲート電極を形成するステップと、前記基板上に絶縁層を堆積するステップと、前記マスク層パターンを除去し、それにより前記ポリシリコン層上に未充填領域を形成するステップと、前記未充填領域に金属を堆積して充填するステップと、を具備して成ることを特徴とする金属ストラップポリシリコンゲート構造を有する半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 29/78 , H01L 21/8234 , H01L 27/088 , H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 29/78 301 G , H01L 27/08 102 D , H01L 29/78 301 Y

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平2-003244
特開平2-003244
半導体装置とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-061857 出願人：株式会社東芝

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