成膜装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-146684
公開番号（公開出願番号）：特開2002-339074
出願日： 2001年05月16日
公開日（公表日）： 2002年11月27日
要約：

【要約】【課題】本発明は、成膜速度を維持したまま膜質の改善を行い、高速且つ高品質膜を生成しえることを課題とする。【解決手段】真空チャンバー31と、この真空チャンバー31内に配置された容器32と、この容器32内に配置された内部電極33と、前記容器32の外部を覆う外部電極34と、前記外部電極34に接続されたパルス電源39とを具備し、前記容器32の内部、外部全体を減圧し、容器内部にガスを導入した後、前記内部電極33により放電を容器内部に発生させることにより容器内面にプラズマCVDによる成膜を生成するとともに、前記外部電極34に負のパルス電圧を印加することによりイオンを容器の内面に注入することを特徴とする成膜装置。

請求項（抜粋）：

真空チャンバーと、この真空チャンバー内に配置された容器と、この容器内に配置された内部電極と、前記容器の外部を覆う外部電極と、前記外部電極に接続されたパルス電源とを具備し、前記容器の内部、外部全体を減圧し、容器内部にガスを導入した後、前記内部電極により放電を容器内部に発生させることにより容器内面にプラズマCVDによる成膜を生成するとともに、前記外部電極に負のパルス電圧を印加することによりイオンを容器の内面に注入することを特徴とする成膜装置。

IPC (4件)：

C23C 16/505 , C08J 7/00 306 , C08J 7/00 CER , C08L101:00

FI (4件)：

C23C 16/505 , C08J 7/00 306 , C08J 7/00 CER , C08L101:00

Fターム (12件)：

4F073CA01 , 4F073CA04 , 4F073CA05 , 4F073CA07 , 4F073CA08 , 4K030CA07 , 4K030CA15 , 4K030FA01 , 4K030HA03 , 4K030KA16 , 4K030KA30 , 4K030LA24

前のページに戻る