特許

J-GLOBAL ID：200903026793322610

遷移金属ドープ・スピネル型MgGa2O4蛍光体およびその製造方法

発明者： 花村 榮一 ,  工藤 裕樹 ,  北谷 雅人 ,  川辺 豊 ,  小林 創
出願人/特許権者： 独立行政法人科学技術振興機構
代理人 (1件)： 平山 一幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-221074
公開番号（公開出願番号）：特開2007-031668
出願日： 2005年07月29日
公開日（公表日）： 2007年02月08日
要約：

【課題】新規な蛍光体である、遷移金属ドープ・スピネル型MgGa2 O4 (マグネシウムガレート)蛍光体とこの蛍光体の製造方法を提供する。【解決手段】スピネル型MgGa2 O4 を母体結晶とし、この母体結晶に遷移金属としてMnを発光中心としてドープした蛍光体であり、バンド端励起により、508nmにピークを有する緑色発光と674nmにピークを有する赤色発光をする。母体結晶の融点が高く、また、電荷移動遷移に基づいて発光するので発光効率が高い。浮遊帯域溶融結晶成長法で作製する。【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

スピネル型MgGa2 O4 を母体結晶とし、この母体結晶に遷移金属を発光中心としてドープしたことを特徴とする、遷移金属ドープ・スピネル型MgGa2 O4 蛍光体。

IPC (3件)：

C09K 11/62 ,  C09K 11/08 ,  H01S 3/16

FI (3件)：

C09K11/62 ,  C09K11/08 B ,  H01S3/16

Fターム (10件)：

4H001CA02 ,  4H001CF02 ,  4H001XA08 ,  4H001XA12 ,  4H001XA31 ,  4H001YA25 ,  5F172AE01 ,  5F172AF01 ,  5F172NN06 ,  5F172ZA01

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 遷移金属ドープ・スピネル型MgAl2O4蛍光体とこれを用いたレーザー装置並びにこの蛍光体の製造方法
  公報種別：再公表公報   出願番号：JP2004006852   出願人：独立行政法人科学技術振興機構