特許
J-GLOBAL ID：200903026799747442

洗浄・乾燥装置及び半導体装置の製造ライン

発明者：
太田 なほみ

太田 なほみ について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 稲垣 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-085815
公開番号（公開出願番号）：特開平11-283955
出願日： 1998年03月31日
公開日（公表日）： 1999年10月15日
要約：
【要約】【課題】 洗浄及び乾燥プロセスの選択のフレキシビリティを高くするように最適化された半導体装置の製造ラインを提供する。【解決手段】 半導体装置の本製造ライン10は、プロセス装置12A〜Eを一連的に備えて、順次、所定のプロセッシングをウエハに施すようにした半導体装置の製造ラインであって、洗浄・乾燥処理を集中的に行う集中型洗浄・乾燥ステーション14と、製造ライン10内の各プロセス装置から集中型洗浄・乾燥ステーションにウエハを高速で搬送するウエハ搬送装置16とを備えている。集中型洗浄・乾燥ステーションは、製造ラインの適所に、限定された設置数、例えば1の設置数で設置されており、HF系洗浄装置18、非HF系洗浄装置20、高乾燥型乾燥装置としてIPA乾燥装置22、及び低乾燥型乾燥装置としてスピン乾燥装置24を備えている。また、集中型洗浄・乾燥ステーションは、ウエハをハンドリングするハンドリング・ロボット(図示せず)を備えている。
請求項（抜粋）：
半導体装置を製造する過程で、ウエハを洗浄し、乾燥する装置であって、HF系洗浄液による洗浄装置、非HF系洗浄液による洗浄装置、低乾燥型乾燥装置、及び高乾燥型乾燥装置を備え、洗浄条件に応じて所要の洗浄装置を選択し、乾燥条件に応じて所要の乾燥装置を選択するようにしたことを特徴とする洗浄・乾燥装置。
IPC (3件)：
H01L 21/304 648 ,  H01L 21/304 651 ,  H01L 21/68
FI (3件)：
H01L 21/304 648 H ,  H01L 21/304 651 H ,  H01L 21/68 A
引用特許：
審査官引用 (2件)
  • 洗浄処理装置およびその制御方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-214118   出願人：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン九州株式会社
  • 半導体洗浄装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-144324   出願人：株式会社日立製作所

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