特許

J-GLOBAL ID：200903026812584418

固体撮像装置の製造方法およびイオン注入角度算出プログラム

発明者： 滝澤 律夫
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-396610
公開番号（公開出願番号）：特開2005-159062
出願日： 2003年11月27日
公開日（公表日）： 2005年06月16日
要約：

【課題】イオン注入角度を制御してプロセスばらつきによる特性変動を抑制し、固体撮像装置の信頼性向上、生産性向上を可能とする。【解決手段】本発明は、基板1にセンサ領域、転送チャネル領域7およびセンサ領域と転送チャネル領域7との間となる読み出しゲート30とを形成する工程と、基板1上に転送電極19を形成し、この転送電極19のセンサ領域上に開口を形成する工程と、転送電極19の開口を介してセンサ領域の表層部にイオン注入するにあたり、転送電極19の開口の端部と読み出しゲート30の端部との位置関係に基づく角度を設定して注入を行う工程とを備える固体撮像装置の製造方法である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板にセンサ領域、転送チャネル領域および前記センサ領域と前記転送チャネル領域との間となる読み出しゲートとを形成する工程と、 前記基板上に転送電極を形成し、前記転送電極の前記センサ領域上に開口を形成する工程と、 前記開口を介して前記センサ領域の表層部にイオン注入するにあたり、前記開口の端部と前記読み出しゲートの端部との位置関係に基づく角度を設定して注入を行う工程と を備えることを特徴とする固体撮像装置の製造方法。

IPC (1件)：

H01L27/148

FI (1件)：

H01L27/14 B

Fターム (18件)：

4M118AB01 ,  4M118BA10 ,  4M118BA13 ,  4M118CA03 ,  4M118CA04 ,  4M118CA32 ,  4M118DA18 ,  4M118EA03 ,  4M118EA06 ,  4M118EA07 ,  4M118EA14 ,  4M118FA06 ,  4M118FA08 ,  4M118FA33 ,  4M118FA35 ,  4M118GB03 ,  4M118GB08 ,  4M118GB10

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 固体撮像装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-247502   出願人：松下電子工業株式会社