特許
J-GLOBAL ID：200903085858158207
固体撮像装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-247502
公開番号（公開出願番号）：特開2000-077647
出願日： 1998年09月01日
公開日（公表日）： 2000年03月14日
要約：
【要約】【課題】CCD固体撮像装置において、CCD固体撮像素子の読み出し駆動電圧の低電圧化、スミア低減及び感度の向上を図る。【解決手段】n型半導体基板1の表面に選択的にn型拡散層(CCD転送チャンネル)4を形成する。このn型拡散層4の側方に、信号読み出し電圧を制御するp型拡散層の制御部33と、層分離用のp型拡散層の分離部32を形成する。これ等の制御部33及び分離部32は、前記n型拡散層4よりも浅く、且つ基板1のp型ウェル2よりも高濃度の不純物濃度に形成される。更に、基板1の表面に選択的に高濃度のp型拡散層31、34が形成される。これ等の高濃度p型拡散層31、34は、各々、前記n型拡散層4と制御部33、前記n型拡散層4と分離部32との間を結ぶと共に、前記制御部33及び分離部32並びにp型拡散層の暗電流防止層35よりも高濃度の不純物濃度に形成される。
請求項（抜粋）：
CCD固体撮像素子の画素部において、内部にp型ウェルを有する半導体基板の表面に選択的に形成されたn型拡散層と、前記半導体基板の表面で前記n型拡散層の側方に形成され、前記n型拡散層からの信号の読み出し駆動電圧を制御するp型拡散層を有する制御部とを備え、前記制御部は、前記n型拡散層よりも浅く、且つ前記p型ウェルよりも不純物濃度が高く形成されることを特徴とする固体撮像装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 27/14 B
, H04N 5/335 U
4M118AA05
, 4M118AB01
, 4M118BA10
, 4M118CA04
, 4M118CA18
, 4M118DA03
, 4M118EA07
, 4M118FA06
, 4M118FA26
, 4M118FA35
, 4M118GB03
, 4M118GB07
, 4M118GB11
, 5C024AA01
, 5C024CA04
, 5C024CA10
, 5C024CA31
, 5C024FA01
, 5C024GA01
, 5C024GA11
, 5C024JA21
