特許

J-GLOBAL ID：200903026813333940

処理装置

発明者： 元田 公男 ,  太田 義治 ,  坂井 光弘 ,  立山 清久
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 高山 宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-089847
公開番号（公開出願番号）：特開2002-289501
出願日： 2001年03月27日
公開日（公表日）： 2002年10月04日
要約：

【要約】【課題】 被処理基板に対してレジスト塗布および露光後の現像処理を含む一連の処理を、その前工程および後工程を含めて高スループットで行うことができる処理装置を提供すること、およびこれに加えて、フットプリントを極力小さくすることができる処理装置を提供すること。【解決手段】 いずれも基板Gが略水平に搬送されつつ所定の処理が行われる、洗浄処理ユニット21と、レジスト処理ユニット23と、現像処理ユニット43とを有し、さらに各処理ユニットに付随する熱的処理を行う複数の熱的処理ユニットが集約された複数の熱的処理ユニットセクション24,25,44を有し、露光装置3を挟んで一方側に洗浄処理ユニット21およびレジスト処理ユニット23が存在し、他方側に現像処理ユニット43が存在する。

請求項（抜粋）：

被処理基板に対してレジスト塗布および露光後の現像を含む一連の処理を行う処理装置であって、レジスト液の塗布を含むレジスト処理が行われるレジスト処理ユニットと、現像液塗布、現像後の現像液除去、および乾燥処理を行う現像処理ユニットと、前記各処理ユニットに付随する熱的処理を行う複数の熱的処理ユニットとを有し、前記レジスト処理ユニットと、前記現像処理ユニットとは、露光装置を挟んで両側に設けられていることを特徴とする処理装置。

IPC (5件)：

H01L 21/027 ,  B05C 11/08 ,  B05C 11/10 ,  G03F 7/16 502 ,  G03F 7/30 501

FI (5件)：

B05C 11/08 ,  B05C 11/10 ,  G03F 7/16 502 ,  G03F 7/30 501 ,  H01L 21/30 562

Fターム (24件)：

2H025AB17 ,  2H025EA05 ,  2H025FA14 ,  2H025FA15 ,  2H096AA27 ,  2H096CA14 ,  2H096GA02 ,  2H096GA21 ,  2H096GB00 ,  4F042AA02 ,  4F042AA07 ,  4F042CC04 ,  4F042CC09 ,  4F042DA01 ,  4F042EB09 ,  4F042ED03 ,  4F042ED04 ,  4F042ED05 ,  5F046AA17 ,  5F046AA28 ,  5F046JA22 ,  5F046JA27 ,  5F046LA18 ,  5F046LA19

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 基板処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-217216   出願人：株式会社ニコン
• 処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-264165   出願人：東京エレクトロン株式会社
• 半導体製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-248519   出願人：キヤノン株式会社