特許

J-GLOBAL ID：200903026819460609

窒化物半導体発光素子の製造方法

発明者： 中原 健
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (4件)： 三好 秀和 ,  寺山 啓進 ,  三好 広之 ,  伊藤 市太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-352369
公開番号（公開出願番号）：特開2007-158100
出願日： 2005年12月06日
公開日（公表日）： 2007年06月21日
要約：

【課題】特別な工程を加えることなくチップ分離を容易にし、製造工程時間を短縮することができ、チップ分離の際に発光領域に損傷が加わらないようにすることができる窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。【解決手段】成長用基板1上に誘電体マスク2を形成したものに、窒化物半導体結晶10を成長させる。窒化物半導体結晶10は、n型窒化物半導体層3、活性層4、p型窒化物半導体層5等で構成されている。誘電体マスク2は、チップ形状に合わせて、矩形状にくり抜かれた開口部を有しており、この開口部の領域において成長用基板1上で、窒化物半導体結晶10を成長させ、隣接するチップ間が分離した状態で結晶成長を終了させる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

成長用基板上に発光領域を含む窒化物半導体結晶と第1電極層を形成し、前記窒化物半導体結晶と第1電極層を支持基板に転写した後、前記第1電極層と対向するように第2電極層を前記窒化物半導体結晶上に形成する窒化物半導体発光素子の製造方法において、 前記成長用基板上に矩形状の開口部を有する誘電体マスクをパターニングした後に、前記窒化物半導体結晶を選択成長させて矩形状に分離された状態で結晶成長を終了させることを特徴とする窒化物半導体発光素子の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/205

FI (2件)：

H01L33/00 C ,  H01L21/205

Fターム (19件)：

5F041AA41 ,  5F041AA42 ,  5F041CA04 ,  5F041CA12 ,  5F041CA23 ,  5F041CA34 ,  5F041CA64 ,  5F041CA74 ,  5F041CA75 ,  5F041CA76 ,  5F041CA77 ,  5F045AA03 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AD14 ,  5F045AE25 ,  5F045AF09 ,  5F045CA09 ,  5F045DA52

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 剥離方法、レーザー光の照射方法及びこれらを用いた素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-368468   出願人：ソニー株式会社