特許
J-GLOBAL ID：200903033967412547

剥離方法、レーザー光の照射方法及びこれらを用いた素子の製造方法

発明者：
土居 正人

土居 正人 について

, 
岩渕 寿章

岩渕 寿章 について

, 
大畑 豊治

大畑 豊治 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 佐藤 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-368468
公開番号（公開出願番号）：特開2003-168820
出願日： 2001年12月03日
公開日（公表日）： 2003年06月13日
要約：
【要約】【課題】本発明は、基板上に形成された結晶層にクラックを生じさせることなく、基板から結晶層を剥離することができる剥離方法、レーザー光の照射方法及びこれらを用いた素子の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】本発明は、基板上に形成された結晶層に光を照射して剥離する剥離方法において、前記光をライン状に照射することを特徴とする。このとき、前記光の照射幅を前記結晶層の厚みと同程度もしくはそれより小さくすることにより、クラックを発生させることなく基板から結晶層を剥離することができる。
請求項（抜粋）：
基板上に形成された結晶層に光を照射して剥離する剥離方法において、前記光をライン状に照射することを特徴とする剥離方法。
Fターム (7件)：
5F041AA41 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA67 ,  5F041CA77
引用特許：
審査官引用 (5件)
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