特許

J-GLOBAL ID：200903026853452062

レジストパターン形成方法

発明者： 荒川 克治 ,  天野 和彦 ,  春日 好治
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-115842
公開番号（公開出願番号）：特開平5-313347
出願日： 1992年05月08日
公開日（公表日）： 1993年11月26日
要約：

【要約】【目的】 フォトリソグラフィー技術によるレジストパターン形成方法において、一括露光による立体形状表面へのレジストパターン形成を実現する。【構成】 段差を有するSi基板表面における段差斜面に隣接する底面部でのポジ型レジストのレジストパターン形成方法において、ダミーパターンを有するマスクを利用し前記Si基板段差斜面での反射光による段差底面部のレジストパターンの損失を防止したこと、および前記Si基板段差斜面での反射光による入射露光部を回避してレジストパターンを配置することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

表面に段差を有するSi基板上の段差斜面に隣接する底部にレジストパターンを形成する方法であって、1)前記Si基板表面にポジ型レジストを被覆形成し、2)所望するレジストパターンと、前記所望するレジストパターンに入射する斜面反射光を遮断すべく配置されるダミーパターンを前記レジストパターンに近接する段差斜面上に有するフォトマスクを用いて露光することを特徴とするレジストパターン形成方法。

IPC (3件)：

G03F 1/08 ,  G03F 7/00 ,  G03F 7/20

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭61-181129
  
• 特開平1-246833
  
• 露光方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-323852   出願人：三洋電機株式会社