特許
J-GLOBAL ID：200903026864780010
フェライト焼結体、フェライトペーストおよびフェライト焼結体の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-335866
公開番号（公開出願番号）：特開平7-201552
出願日： 1993年12月28日
公開日（公表日）： 1995年08月04日
要約：
【要約】【目的】 チップインダクタとして使われ、製造容易で周波数特性の優れたフェライト焼結体、フェライトペーストおよびその製造方法を提供することを目的とする。【構成】 ニッケル亜鉛系フェライトを主成分とし、酸化鉛を70〜95重量%含むホウ硅酸鉛系低軟化点ガラス1〜10重量%を含むフェライト層1を焼結させることにより、焼成時にガラス成分の流動によるフェライト粒子の粒成長がスムーズに行われるため、950°C以下の低温焼成でも優れた磁気特性が得られる。
請求項（抜粋）：
ニッケル亜鉛系フェライトを主成分とし、酸化鉛を70〜95重量%含むホウ硅酸鉛系低軟化点ガラス1〜10重量%を含むフェライト焼結体。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01F 1/34 A
, C04B 35/30 Z
