特許
J-GLOBAL ID：200903026883441863
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-360571
公開番号（公開出願番号）：特開2001-176871
出願日： 1999年12月20日
公開日（公表日）： 2001年06月29日
要約：
【要約】【課題】 他の素子に影響を与えることなく、完成後の拡散抵抗等の抵抗体の抵抗値を所定の値に容易に設定する。【解決手段】 シリコン基板11に、イオン注入で不純物を導入し、その後の工程で層間絶縁膜14、窒化シリコン膜18などの高温熱処理で拡散抵抗12を形成する。このとき、イオン注入と高温熱処理の条件は、拡散抵抗12が所定の抵抗値になるように設定されているが、実際には完成後の拡散抵抗12は所定の抵抗値からずれていることが多い。このずれ量を補正するために、最終保護膜としてプラズマCVD法により形成される窒化シリコン膜16のSiH4 /NH3 流量比あるいは膜厚条件を調節する。このように窒化シリコン膜16の形成条件を調節するという簡単な方法により拡散抵抗12を所定の抵抗値に制御できる。
請求項（抜粋）：
抵抗体を形成し、前記抵抗体の上層に、複数の材料ガスを用いて気相成長法で絶縁膜を形成する半導体装置の製造方法であって、前記複数の材料ガスのそれぞれの流量比および前記絶縁膜の膜厚のうち少なくとも一方を調整して前記絶縁膜を形成することによって、前記抵抗体の抵抗値を所定の値にすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/318
, H01L 27/04
, H01L 21/822
H01L 21/318 B
, H01L 27/04 R
5F038AR01
, 5F038DT12
, 5F038DT20
, 5F038EZ13
, 5F038EZ14
, 5F038EZ20
, 5F058BA20
, 5F058BC08
, 5F058BF07
, 5F058BF23
, 5F058BF30
, 5F058BF37
, 5F058BJ01
, 5F058BJ10
