特許
J-GLOBAL ID:200903026891733245
表面処理方法と装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
井出 直孝 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-169091
公開番号(公開出願番号):特開平11-340210
出願日: 1998年05月13日
公開日(公表日): 1999年12月10日
要約:
【要約】【課題】プラズマの下流で水素原子の還元性を利用して、被加工物表面の処理を行うには、プラズマ化する気体に酸素を含有するガスを用いる必要があり、またプラズマ発生用真空容器に石英やアルミナを用いるとスパッタエッチング等により酸素がプラズマに混入するなどして、酸素の影響を受けないで水素原子を利用することが困難であった。【解決手段】少なくとも、水素原子を構成要素として含む分子とハロゲンを構成要素として含む分子、を含む気体をプラズマ化し、該プラズマの下流に設置した被加工物を処理する。また、水素原子を構成要素として含む分子と少なくとも塩素、臭素もしくはヨウ素の少なくとも一つを構成要素として含む分子、を含むガスをプラズマ化するためのプラズマ発生部の内壁表面の少なくとも一部を窒化珪素にする。
請求項(抜粋):
少なくとも、水素原子を構成要素として含む分子とハロゲンを構成要素として含む分子、を含む気体をプラズマ化し、該プラズマの下流に設置した被加工物を処理することを特徴とする表面処理方法。
IPC (5件):
H01L 21/3065
, C23C 16/50
, C23F 4/00
, H01L 21/31
, H05H 1/46
FI (5件):
H01L 21/302 F
, C23C 16/50
, C23F 4/00 E
, H01L 21/31 C
, H05H 1/46 A
引用特許:
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