特許

J-GLOBAL ID：200903026903593770

半導体デバイスの実装方法

発明者： 三木 政之 ,  笹田 義幸 ,  久保田 正則 ,  市川 範男
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  株式会社日立カーエンジニアリング
代理人 (1件)： 作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-181068
公開番号（公開出願番号）：特開2001-013022
出願日： 1999年06月28日
公開日（公表日）： 2001年01月19日
要約：

【要約】【課題】半導体デバイス構成部品の耐食性を向上させること。【解決手段】半導体デバイス構成部品の最表面部分に高耐食性の金属膜を設け、被測定媒体中に含まれる腐食成分から部品を保護する実装とした。

請求項（抜粋）：

外力に対応し電気的信号が変化するシリコン部材と、一面を前記シリコン部材に接合され他面を薄膜金属でメタライズされたガラス部材と、これら接合体を固定する固定台座と、前記接合体と前記固定台とを固定する金属性の固定用部材とを備えた半導体デバイスにおいて、被測定媒体との間の一部あるいは全表面が耐食性の金属膜で覆われることを特徴とする半導体デバイス。

IPC (3件)：

G01L 9/04 101 ,  G01L 19/06 ,  H01L 29/84

FI (3件)：

G01L 9/04 101 ,  G01L 19/06 Z ,  H01L 29/84 Z

Fターム (20件)：

2F055AA21 ,  2F055BB20 ,  2F055CC02 ,  2F055DD05 ,  2F055EE13 ,  2F055FF38 ,  2F055GG12 ,  2F055GG14 ,  4M112AA01 ,  4M112BA01 ,  4M112CA14 ,  4M112CA15 ,  4M112DA08 ,  4M112DA09 ,  4M112DA15 ,  4M112DA18 ,  4M112EA02 ,  4M112EA11 ,  4M112EA13 ,  4M112FA08

引用特許：

審査官引用 (2件)

• ガラス又は半導体からなるブロックの形成方法及びそのブロックと金属性の基台の接合方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-084295   出願人：沖電気工業株式会社
• 媒体に影響されないマイクロセンサ構造および製造方法ならびに使用方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-104434   出願人：モトローラ・インコーポレイテッド