特許
J-GLOBAL ID：200903026928771568
トランジスタ及び半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
橋爪 健
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-326889
公開番号（公開出願番号）：特開2000-150900
出願日： 1998年11月17日
公開日（公表日）： 2000年05月30日
要約：
【要約】【課題】 酸化亜鉛等の透明チャネル層を用いた一部又は全部が透明なトランジスタを提供する。【解決手段】 チャネル層11は、例えば、酸化亜鉛ZnO等の透明な半導体で形成される。ソース12、ドレイン13又はゲート14は、各々の内、全部又は一部に透明電極が用いられる。透明電極としては、例えば、III族元素等をドープした導電性ZnO等の透明導電性材料が用いられる。ゲート絶縁層15としては、例えば、1価の価数を取りうる元素又はV族元素をドープした絶縁性ZnO等の透明絶縁性材料が用いられる。基板16は、透明とする場合、透明な材料としては、例えば、ガラス、サファイア、プラスティック等を用いることができる。
請求項（抜粋）：
酸化亜鉛ZnO、酸化マグネシウム亜鉛MgxZn1-xO、酸化カドミウム亜鉛CdxZn1-xO、酸化カドミウムCdOの内いずれかを用いた透明チャネル層と、III族元素若しくはVII族元素若しくはI族元素若しくはV族元素のいずれかをドープした若しくはドープしない導電性ZnO等の透明導電性材料、In2O3若しくはSnO2若しくは(In-Sn)Oxなどの透明導電体、又は、透明でない電極材料を、その全部又は一部に用いた、ソース及びドレイン及びゲートを備えたトランジスタ。
FI (2件)：
H01L 29/78 618 B
, H01L 29/78 616 V
5F110BB05
, 5F110BB20
, 5F110CC02
, 5F110CC05
, 5F110DD01
, 5F110DD02
, 5F110DD04
, 5F110EE07
, 5F110FF01
, 5F110FF02
, 5F110FF05
, 5F110GG04
, 5F110GG41
, 5F110HK07
, 5F110HK31
, 5F110NN71
