自己バイアス測定方法及び装置並びに静電吸着装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐々木聖孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-133856
公開番号（公開出願番号）：特開平6-326176
出願日： 1993年05月12日
公開日（公表日）： 1994年11月25日
要約：

【要約】[目的]被処理体の自己バイアス電圧を短時間で正確に測定し、被処理体を所望の静電吸着力で安定に保持する。[構成]処理容器10の中央部に設置された載置台18の上面には円形の静電チャックシート30が冠着され、この静電チャックシート30の上に半導体ウエハWが載置される。静電チャックシート30は、抵抗体としての機能をも併せ持つ誘電体たとえばSiCからなる薄膜32とたとえばポリイミドからなる絶縁膜34の間に静電吸着用電極としてたとえば銅箔からなる薄い導電膜36を封入してなる。導電膜36は、電流計44を介して可変直流電源46の出力端子に接続される。電流計44は半導体ウエハWと導電膜36との間の漏れ電流を検出する。可変直流電源46は、制御部50の制御の下で可変直流電圧V0 を出力する。

請求項（抜粋）：

プラズマ処理装置の処理容器内で載置台上に静電吸着力で保持される被処理体の自己バイアス電圧を測定する自己バイアス測定方法において、前記載置台の静電吸着用電極に印加される直流電圧の値を変えながら前記被処理体と前記静電吸着用電極間の漏れ電流を検出し、前記漏れ電流がほぼ零となるときの前記直流電圧の値を前記自己バイアス電圧の測定値とすることを特徴とする自己バイアス測定方法。

IPC (2件)：

H01L 21/68 , H01L 21/203

引用特許：

出願人引用 (4件)

特開平2-260530
特開平4-348543
特開平4-094565

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審査官引用 (5件)

特開平2-260530
特開平4-348543
特開平4-094565

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