特許

J-GLOBAL ID：200903026933900635

透明導電膜

発明者： 南 内 嗣 ,  高 田 新 三
出願人/特許権者： 南 内嗣 ,  高田 新三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-257406
公開番号（公開出願番号）：特開平10-083719
出願日： 1996年09月06日
公開日（公表日）： 1998年03月31日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】従来の非晶質や結晶質のSn添加Zn-In-OやZn2In2O5酸化物透明導電膜では得られない高い可視光透過率と金属成分組成を変えることによるエッチング速度の容易な制御を可能にした新しい透明導電膜、及び該膜を製造するために使用されるタ-ゲット材を提供することを目的としている。【構成】In、SnおよびZnを含む複合金属酸化物膜が、少なくとも1種のIn4Sn3O12結晶、もしくはIn、SnおよびZnから構成される微結晶あるいは非晶質を形成し、含まれる金属成分組成として、Sn×100/(In+Sn)で示されるSn量が40〜60原子%であり、Zn×100/(In+Zn)で示されるZn量が10〜90原子%、好ましくは30〜70原子%含有する該酸化物膜を形成して成る透明導電膜。

請求項（抜粋）：

【請求項 1】基体上に、インジウム(In)、錫(Sn)および亜鉛(Zn)から成る複合金属酸化物膜を形成して成ることを特徴とする透明導電膜。【請求項 2】前記請求項1記載の複合金属酸化物が少なくとも1種のIn4Sn3O12を含むことを特徴とする請求項1記載の透明導電膜。【請求項 3】前記請求項1記載の複合金属酸化物が微結晶もしくは非晶質であることを特徴とする請求項1記載の透明導電膜。【請求項 4】前記請求項1記載のSn量として、Inに対する原子比、すなわちSn/(In+Sn)で示されるSnが0.40〜0.60含有して成ることを特徴とする請求項1、2または3記載の透明導電膜。【請求項 5】前記請求項1記載のZn量として、Inに対する原子比、すなわちZn/(In+Zn)で示されるZnが0.10〜0.90、好ましくは0.30〜0.70含有して成ることを特徴とする請求項1、2、3または4記載の透明導電膜。【請求項 6】前記請求項1記載のSnに対してフッ素(F)を、F/(Sn+F)で表される原子比で0.02以下の範囲で添加して成ることを特徴とする請求項1、2、3、4または5記載の透明導電膜。【請求項 7】前記請求項1〜5または6記載の透明導電膜を製造するために使用されるIn2O3-SnO2-ZnO系焼結体。

IPC (2件)：

H01B 5/14 ,  C01G 19/00

FI (2件)：

H01B 5/14 A ,  C01G 19/00 A

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 導電性透明基材およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-315075   出願人：出光興産株式会社
• 特開平3-196414
  
• 特開平1-204307
  
• 特開平1-194208