特許

J-GLOBAL ID：200903026950368750

半導体基板および半導体基板の処理方法

発明者： 高橋 真実 ,  冨田 寛
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-335708
公開番号（公開出願番号）：特開平9-223668
出願日： 1996年12月16日
公開日（公表日）： 1997年08月26日
要約：

【要約】【課題】 半導体単結晶膜が形成される半導体基板の表面の析出物を効果的に減少させ、長い絶縁破壊寿命の酸化膜の形成を可能とする半導体基板の処理方法を提供すること。【解決手段】 半導体基板の表面に、半導体基板はエッチングされず、半導体基板表面に露出する析出物がエッチングされる条件で、選択的にエッチング処理を施す工程、および前記半導体基板表面に半導体基板を構成する半導体の単結晶膜を形成する工程とを具備することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面に、半導体基板はエッチングされず、半導体基板表面に露出する析出物がエッチングされる条件で、選択的にエッチング処理を施す工程、および前記半導体基板表面に半導体基板を構成する半導体の単結晶膜を形成する工程とを具備することを特徴とする半導体基板の処理方法。

IPC (5件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/322 ,  H01L 21/324

FI (5件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/322 Y ,  H01L 21/324 Z ,  H01L 21/306 D

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-209481
  
• エピタキシャル半導体ウェーハの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-106075   出願人：九州電子金属株式会社, 住友シチックス株式会社
• 多結晶性/単結晶性シリコン界面における界面酸化物のコントロール法及びそれから導かれる装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-103410   出願人：インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイシヨン