半導体装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：作田康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-244523
公開番号（公開出願番号）：特開2004-087640
出願日： 2002年08月26日
公開日（公表日）： 2004年03月18日
要約：

【課題】チャネル方向が<100>軸と平行な、nチャネル型電界効果トランジスタとpチャネル型電界効果トランジスタを有する半導体装置において、nチャネル型電界効果トランジスタ、pチャネル型電界効果トランジスタ共にドレイン電流特性に優れた半導体装置を実現する。【解決手段】nチャネル型電界効果トランジスタN1、N2と、pチャネル型電界効果トランジスタP1、P2とを有する半導体装置において、nチャネル型、pチャネル型電界効果トランジスタのゲート電極を上面より覆う応力制御膜209は、応力制御膜209が引張膜応力の場合は、pチャネル型電界効果トランジスタP1、P2の形成されるアクティブに隣接する浅溝素子分離上で、非設置、あるいは薄膜化する。これにより、nチャネル型、pチャネル型トランジスタの両方のドレイン電流の向上が期待できる。このため、全体としての特性を向上させることができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された、nチャネル型電界効果トランジスタと、pチャネル型電界効果トランジスタを有する半導体装置であって、前記トランジスタは、ゲート電極とそれに対応するソース及びドレインを備え、前記ソースとドレインとを結ぶ方向は、<100>結晶軸、若しくは、<100>結晶軸と等価な軸に沿う方向に形成され、前記pチャネル型電界効果トランジスタのチャネル部分の結晶のひずみは、前記nチャネル型電界効果トランジスタのチャネル部分の結晶のひずみより、大きい圧縮ひずみが形成されることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L21/8238 , H01L21/768 , H01L27/092 , H01L29/78

FI (4件)：

H01L27/08 321A , H01L29/78 301H , H01L21/90 V , H01L21/90 K

Fターム (78件)：

5F033HH04 , 5F033HH07 , 5F033HH19 , 5F033HH25 , 5F033MM05 , 5F033MM07 , 5F033QQ09 , 5F033QQ25 , 5F033QQ37 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR09 , 5F033RR15 , 5F033SS08 , 5F033SS11 , 5F033TT02 , 5F033TT08 , 5F033VV06 , 5F033WW00 , 5F033XX03 , 5F033XX15 , 5F033XX19 , 5F033XX34 , 5F048AA04 , 5F048AA07 , 5F048AB01 , 5F048AB03 , 5F048AC03 , 5F048BA02 , 5F048BA10 , 5F048BB01 , 5F048BB05 , 5F048BB08 , 5F048BB11 , 5F048BC01 , 5F048BC06 , 5F048BE03 , 5F048BF06 , 5F048BF11 , 5F048BF16 , 5F048BG13 , 5F048BG14 , 5F048DA25 , 5F048DA27 , 5F140AA01 , 5F140AA05 , 5F140AA37 , 5F140AA39 , 5F140AB01 , 5F140AB03 , 5F140AC28 , 5F140AC32 , 5F140BA01 , 5F140BA20 , 5F140BD05 , 5F140BD07 , 5F140BD11 , 5F140BD12 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF05 , 5F140BF07 , 5F140BF11 , 5F140BG08 , 5F140BH14 , 5F140BJ08 , 5F140BJ27 , 5F140BK27 , 5F140CB04 , 5F140CB08 , 5F140CC01 , 5F140CC03 , 5F140CC07 , 5F140CC08 , 5F140CC11 , 5F140CC12 , 5F140CC15 , 5F140CC16

引用特許：

審査官引用 (2件)

電子及び正孔の移動度を向上させることができるCMOS素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-181890 出願人：現代電子産業株式会社
特開昭64-048462

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