多結晶半導体膜、それを用いた半導体装置及び太陽電池並びにその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鳥居洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-118173
公開番号（公開出願番号）：特開平7-288227
出願日： 1994年05月31日
公開日（公表日）： 1995年10月31日
要約：

【要約】【目的】結晶粒界の位置制御された多結晶半導体膜、それを用いた半導体装置並びにその製造方法を提供することを目的とする。【構成】微小な平面を備えた領域3を多数備えた基板1であって、その領域間で生じた段差4の位置によって、多結晶半導体膜の結晶粒界8の位置を制御する。

請求項（抜粋）：

表面に多数の凹凸を設けて微小な平面を備えた領域を多数個備え、隣接する該領域間に結晶粒界制御用の段差が設けられた基板と、この基板上に基板表面の凹凸形状を反映して膜内部に位置制御された結晶粒界を有して形成された多結晶半導体膜と、からなることを特徴とする多結晶半導体膜。

IPC (5件)：

H01L 21/20 , H01L 21/268 , H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 31/04

FI (4件)：

H01L 29/78 311 H , H01L 29/78 311 Y , H01L 31/04 A , H01L 31/04 X

引用特許：

審査官引用 (3件)

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