高密度柱状ZnO結晶膜体とその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：森竹義昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-355400
公開番号（公開出願番号）：特開2004-315342
出願日： 2003年10月15日
公開日（公表日）： 2004年11月11日
要約：

【課題】基板表面に水溶液析出法によりZnO結晶を析出させようとすると、高密度で配向性良く生成させることは困難で、一定の品質が求められるデバイス設計に用いることはコンであった。本発明は、デバイス設計に応じられるZnO結晶膜を、生成させようというものである。すなわち、基板の90%以上の面積に、c軸が垂直に均一に配向し、緻密な微細構造有する高密度柱状結晶膜を、亜鉛イオンを含む水性溶液から簡単に生成し、提供しようというものである。【解決手段】亜鉛イオンを含む水溶液中の亜鉛イオン濃度を、基板を浸漬したとき高密度柱状ZnO結晶膜体が得られる濃度範囲、0.07〜0.3mol/lの範囲に調製し、この水溶液に基板を浸漬し、高密度柱状結晶膜を生成させる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

亜鉛イオンを含有する水溶液に基板を浸漬することによって基板上に得られ、c軸が基板に対して垂直に配向し、緻密な微細構造を有して生成されてなることを特徴とする高密度柱状ZnO結晶膜体。

IPC (3件)：

C30B29/16 , B82B1/00 , B82B3/00

FI (3件)：

C30B29/16 , B82B1/00 , B82B3/00

Fターム (12件)：

4G077AA03 , 4G077AB02 , 4G077AB04 , 4G077BB07 , 4G077CB02 , 4G077CB04 , 4G077EA01 , 4G077ED06 , 4G077EE07 , 4G077HA01 , 4G077HA02 , 4G077HA11

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