特許

J-GLOBAL ID：200903027049299797

半導体ウェーハの金属汚染評価方法、半導体ウェーハの製造方法、これらの装置およびダミーウェーハ

発明者： 大久保 裕夫 ,  松本 圭 ,  今井 正人 ,  宮村 佳児 ,  西 晃
出願人/特許権者： コマツ電子金属株式会社
代理人 (1件)： 木村 高久 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-145139
公開番号（公開出願番号）：特開2003-338530
出願日： 2002年05月20日
公開日（公表日）： 2003年11月28日
要約：

【要約】【課題】半導体ウェーハの内部の汚染金属を、低温かつ短時間で表面に析出させて、エネルギーコストの低減と作業効率の向上を図る。【解決手段】半導体ウェーハの内部の金属汚染を評価するに際して、半導体ウェーハの表面を負に帯電させる脱ガス成分を有するウェーハケース2を用意して、このウェーハケース2内に半導体ウェーハを収容し、このウェーハケース2からの脱ガスを促進する温度でウェーハケースを加熱することにより、ウェーハケース2中の脱ガス成分を半導体ウェーハの表面に付着させて表面を負に帯電させ、内部の汚染金属の拡散を促進して表面に析出させる。

請求項（抜粋）：

半導体ウェーハの表面に析出された汚染金属の量を測定することにより、当該半導体ウェーハの内部の金属汚染を評価する半導体ウェーハの金属汚染評価方法において、前記半導体ウェーハの内部の汚染金属の拡散を促進して表面に析出させる脱ガス成分を有するウェーハケースを用意し、前記半導体ウェーハを、前記ウェーハケース内に収容する工程と、前記ウェーハケースからの脱ガスを促進して、脱ガス成分を前記半導体ウェーハの表面に付着させる工程と、前記半導体ウェーハの表面に析出された汚染金属の量を測定する工程とを含むことを特徴とする半導体ウェーハの金属汚染評価方法。

IPC (2件)：

H01L 21/66 ,  H01L 21/02

FI (2件)：

H01L 21/66 N ,  H01L 21/02 B

Fターム (5件)：

4M106AA01 ,  4M106BA20 ,  4M106CB21 ,  4M106CB30 ,  4M106DH60

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体ウエーハ中の重金属不純物を除去する方法およびこの工程を有する半導体ウエーハの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-055956   出願人：信越半導体株式会社