特許

J-GLOBAL ID：200903027050985440

炭化珪素単結晶の製造方法

発明者： 木藤 泰男 ,  小丹枝 洋一
出願人/特許権者： 株式会社デンソー
代理人 (1件)： 恩田 博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-075775
公開番号（公開出願番号）：特開平9-263497
出願日： 1996年03月29日
公開日（公表日）： 1997年10月07日
要約：

【要約】【課題】大口径で厚く、かつ高品位の(0001)面方位をもつα型炭化珪素単結晶を、低コストで製造することができる炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。【解決手段】(111)面が成長面方位であるシリコンウエハの上に(111)面方位をもつ立方晶炭化珪素単結晶層15を成長させ、シリコンウエハを除去する。(111)面方位をもつ立方晶炭化珪素単結晶層15を種結晶として黒鉛製ルツボ内において炭化珪素原料粉末を不活性ガス雰囲気中で加熱昇華させ、炭化珪素原料粉末よりやや低温になっている当該(111)面方位をもつ立方晶炭化珪素単結晶層15上にα型炭化珪素単結晶19を成長させる。α型炭化珪素単結晶19の初期での成長速度は0.16mm/hr、α型炭化珪素単結晶19の初期成長後の成長速度は0.4mm/hrとする。

請求項（抜粋）：

(111)面が成長面方位である珪素単結晶基板の上に(111)面方位をもつ立方晶炭化珪素単結晶層を成長させる第1工程と、前記(111)面方位をもつ立方晶炭化珪素単結晶層を種結晶として炭化珪素原料を不活性ガス雰囲気中で加熱昇華させ、炭化珪素原料よりやや低温になっている当該(111)面方位をもつ立方晶炭化珪素単結晶層上にα型炭化珪素単結晶を成長させる第2工程とを備えたことを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。

IPC (3件)：

C30B 29/36 ,  C30B 23/00 ,  H01L 21/205

FI (3件)：

C30B 29/36 A ,  C30B 23/00 ,  H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭60-145992
  
• 特開昭55-144499
  
• 炭化珪素単結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-141456   出願人：株式会社豊田中央研究所