半導体製造・検査装置用セラミック基板、セラミックヒータ、静電チャック、ウエハプローバ

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：安富康男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-377207
公開番号（公開出願番号）：特開2001-118911
出願日： 1999年12月29日
公開日（公表日）： 2001年04月27日
要約：

【要約】【課題】放射されるα線量が少なく、ヒータ、ウエハプローバ等の誤動作やチャック力低下を防止することができ、また、また、半導体ウエハに付着するパーティクル数を少なくすることにより、半導体ウエハに配線欠陥が発生しない半導体製造・検査装置用セラミック基板を提供すること。【解決手段】半導体の製造・検査用装置に用いられるセラミック基板において、前記セラミック基板の表面から放射されるα線量が、0.250c/cm2・hr以下であることを特徴とする半導体製造・検査装置用セラミック基板。

請求項（抜粋）：

半導体の製造・検査用装置に用いられるセラミック基板において、前記セラミック基板の表面から放射されるα線量が、0.250c/cm2・hr以下であることを特徴とする半導体製造・検査装置用セラミック基板。

IPC (6件)：

H01L 21/68 , H01L 21/027 , H05B 3/02 , H05B 3/14 , H05B 3/20 393 , C04B 35/581

FI (8件)：

H01L 21/68 N , H01L 21/68 R , H05B 3/02 A , H05B 3/14 B , H05B 3/20 393 , H01L 21/30 503 C , H01L 21/30 567 , C04B 35/58 104 D

Fターム (73件)：

3K034AA02 , 3K034AA06 , 3K034AA08 , 3K034AA10 , 3K034AA20 , 3K034AA21 , 3K034AA22 , 3K034AA34 , 3K034AA37 , 3K034BB06 , 3K034BB14 , 3K034BC04 , 3K034BC16 , 3K034BC23 , 3K034BC29 , 3K034CA02 , 3K034CA03 , 3K034CA15 , 3K034CA26 , 3K034CA39 , 3K034DA04 , 3K034DA08 , 3K034HA01 , 3K034HA10 , 3K034JA01 , 3K034JA02 , 3K092PP09 , 3K092PP20 , 3K092QA05 , 3K092QB17 , 3K092QB18 , 3K092QB33 , 3K092QB44 , 3K092QB45 , 3K092QB74 , 3K092QB75 , 3K092QB76 , 3K092QC02 , 3K092QC07 , 3K092QC43 , 3K092QC62 , 3K092RF03 , 3K092RF11 , 3K092RF17 , 3K092RF27 , 3K092UA05 , 3K092UA17 , 3K092VV22 , 3K092VV25 , 3K092VV28 , 3K092VV40 , 4G001BA09 , 4G001BA36 , 4G001BB09 , 4G001BB36 , 4G001BC13 , 4G001BC17 , 4G001BC35 , 4G001BC42 , 4G001BD22 , 4G001BD23 , 4G001BD36 , 4G001BD38 , 5F031CA02 , 5F031HA02 , 5F031HA03 , 5F031HA17 , 5F031HA18 , 5F031HA37 , 5F031MA26 , 5F031MA33 , 5F031PA26 , 5F046KA04

引用特許：

出願人引用 (2件)

高純度アルミナセラミックス及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-327529 出願人：東芝セラミックス株式会社
特開昭58-218143

審査官引用 (2件)

高純度アルミナセラミックス及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-327529 出願人：東芝セラミックス株式会社
特開昭58-218143

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