特許
J-GLOBAL ID：200903027076367338
半導体パッケージおよび製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-351443
公開番号（公開出願番号）：特開2000-174167
出願日： 1998年12月10日
公開日（公表日）： 2000年06月23日
要約：
【要約】【課題】 半導体パッケージ実装において、ダイアタッチ材のブリードにより、ワイヤーボンディング部の汚染とボンディングワイヤープル強度の低下を防止する。【解決手段】 LSIチップ搭載部のダイアタッチ材塗布部とワイヤーボンディング部との間に、ポリイミド樹脂またはポリイミド除去により露出したスティフナーが存在している半導体パッケージにおいて、ポリイミド樹脂上に形成される、ワイヤーボンディング部とダイアタッチ材塗布部を分けるように、幅50μm以上のエポキシ樹脂ダムを形成する。また、このエポキシ樹脂ダムがポリイミド除去された金属スティフナー上に直接形成される場合、金属スティフナー表面に、深さ30μm程度の凹凸型トレンチ加工を施し、そのトレンチ上にエポキシ樹脂ダム形成を行う。また、ポリイミド樹脂上にエポキシ樹脂ダムを形成する場合、下地ポリイミドの剥離を防止するため、ポリイミド樹脂上に銅箔パターンを形成し、その上にエポキシ樹脂ダムを形成する。
請求項（抜粋）：
LSIチップ搭載面において、Auメッキされたワイヤーボンディング部とチップ間に、エポキシ系樹脂ダムを形成することを特徴とする半導体パッケージ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 23/28 C
, H01L 23/12 F
4M109AA01
, 4M109BA04
, 4M109BA05
, 4M109CA06
, 4M109DB07
, 4M109DB11
, 4M109DB16
