ITOターゲットの製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-072866
公開番号（公開出願番号）：特開2004-277836
出願日： 2003年03月18日
公開日（公表日）： 2004年10月07日
要約：

【課題】本発明は、従来生じていたスプレードライヤーで得られる造粒粉の成形時でのつぶれ性のばらつきによる強度低下や、密度の低下という問題のない高強度で高密度のITOターゲットを得る方法の提供を課題とする。【解決手段】酸化インジウム粉と酸化スズ粉と水と有機バインダーとを混合し粉砕し、これを噴霧乾燥して造粒粉を得、得られた造粒粉を均一混合した後加圧成型し、得られた成型体を焼成してITOターゲットを得る方法において、有機バインダーとしてケン化度90〜95mo1%、重合度400〜1000のポリビニルアルコールを酸化インジウム粉と酸化スズ粉の合量に対して1.0〜3.0重量%となる量を加え、加圧成型前の造粒粉の水分率を0.15〜0.4重量%とする。【選択図】無し。

請求項（抜粋）：

酸化インジウム粉と酸化スズ粉と水と有機バインダーとを混合し粉砕し、これを噴霧乾燥して造粒粉を得、得られた造粒粉を均一混合した後加圧成型し、得られた成型体を焼成してITOターゲットを得る方法において、有機バインダーとしてケン化度90〜97mo1%、重合度400〜1000のポリビニルアルコールを用いることを特徴とするITOターゲットの製造方法。

IPC (3件)：

C23C14/34 , C04B35/495 , G02F1/1343

FI (3件)：

C23C14/34 A , G02F1/1343 , C04B35/00 J

Fターム (16件)：

2H092HA04 , 2H092MA05 , 2H092MA35 , 4G030AA34 , 4G030AA39 , 4G030BA02 , 4G030BA16 , 4G030CA07 , 4G030GA05 , 4G030GA14 , 4G030GA18 , 4K029DC01 , 4K029DC05 , 4K029DC07 , 4K029DC08 , 4K029DC09

引用特許：

審査官引用 (4件)

高密度透明導電膜用スパッタリングターゲット、その製造方法およびスパッタリングターゲットを製造するための成形型
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-189342 出願人：住友金属鉱山株式会社
特開昭63-170254
半導体磁器の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-112035 出願人：株式会社イナックス

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