特許
J-GLOBAL ID：200903027104270086
プラズマ処理装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
高山 宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-330251
公開番号（公開出願番号）：特開2006-186323
出願日： 2005年11月15日
公開日（公表日）： 2006年07月13日
要約：
【課題】効率的に均一なプラズマを形成することができ、プラズマ処理の面内均一性が高く、かつチャージアップダメージが生じ難い容量結合型のプラズマ処理装置を提供すること。【解決手段】容量結合型のプラズマ処理装置100は、真空雰囲気に保持されるチャンバー1と、チャンバー1内に互いに対向して配置され、一方が被処理基板Wを支持する第1および第2の電極2,18と、第1および第2の電極2,18の間に高周波電界を形成して処理ガスのプラズマを生成するプラズマ生成機構10と、チャンバー1内のプラズマ生成領域Rにおける被処理基板Wの外側位置に設けられ、直流的に接地された部材25とを具備する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
真空雰囲気に保持されるチャンバーと、
前記チャンバー内に互いに対向して配置され、一方が被処理基板を支持する第1および第2の電極と、
前記第1および第2の電極の間に高周波電界を形成して処理ガスのプラズマを生成するプラズマ生成機構と、
前記チャンバー内のプラズマ生成領域における被処理基板の外側位置に設けられ、直流的に接地された部材と
を具備することを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (3件)：
H01L 21/306
, C23C 16/505
, H05H 1/46
H01L21/302 101B
, C23C16/505
, H05H1/46 M
4K030CA04
, 4K030CA12
, 4K030FA03
, 4K030KA18
, 4K030KA45
, 4K030LA15
, 5F004AA01
, 5F004AA06
, 5F004BA04
, 5F004BB18
, 5F004BB25
, 5F004BB32
, 5F004BD04
, 5F004BD05
, 5F004DA00
, 5F004DA17
, 5F004DA18
, 5F004DA26
, 5F004DB01
