特許

J-GLOBAL ID：200903027118189672

SIO素子及びその製造方法

発明者： 李 徳 炯
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (1件)： 八田 幹雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-145217
公開番号（公開出願番号）：特開平10-056183
出願日： 1997年06月03日
公開日（公表日）： 1998年02月24日
要約：

【要約】【課題】 フローティングボディ効果が抑えられるSOI素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板上に絶縁層が形成され、絶縁層上に薄膜と厚膜とが交互に形成されたSOI膜が形成される。前記SOI膜は、薄膜のソース/ドレインと、その表面にチャンネルが形成される厚膜のボディシリコン層とからなる活性領域と、前記活性領域に隣接して形成され、その表面に素子分離膜の形成された素子分離領域とに区分される。前記ボディシリコン層は前記素子分離膜よりさらに厚く形成されて活性領域の前記ボディシリコン層と、素子分離膜の下のボディシリコン層とが互いに連結される。これによって、フローティングボディ効果が抑制され、かつ高集積化が可能となる。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板上に形成される絶縁層と、前記絶縁層上に形成され、絶縁層の表面の凹凸によって薄膜と厚膜とが交互に形成されたシリコンオンインシュレータ(SOI)膜とを具備し、前記SOI膜は薄膜のソース/ドレインと、その表面にチャンネルが形成される厚膜のボディシリコン層よるなる活性領域と、前記活性領域に隣接して形成され、その表面に素子分離膜が形成された素子分離領域とに区分され、前記ボディシリコン層が前記素子分離膜よりさらに厚く形成されて活性領域の前記ボディシリコン層と素子分離膜の下のボディシリコン層とが連結されることを特徴とするSOI素子。

IPC (5件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/762 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/336

FI (7件)：

H01L 29/78 626 C ,  H01L 21/76 D ,  H01L 27/10 621 B ,  H01L 27/10 671 C ,  H01L 29/78 613 A ,  H01L 29/78 621 ,  H01L 29/78 627 A

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭61-034978
  
• 半導体デバイス製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-145486   出願人：コマツ電子金属株式会社, 日本電信電話株式会社, エヌ・ティ・ティ・エレクトロニクステクノロジー株式会社
• 特開昭62-076774