特許
J-GLOBAL ID：200903027141272749

プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法

発明者：
廣瀬 英二

廣瀬 英二 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 亀谷 美明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-308765
公開番号（公開出願番号）：特開2001-127045
出願日： 1999年10月29日
公開日（公表日）： 2001年05月11日
要約：
【要約】【課題】 プラズマ生成用高周波電力に重畳する高周波電力とバイアス用高周波電力の位相,周波数,パワーを容易に変更可能なプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供する。【解決手段】 エッチング装置100の処理室102内には,上部電極106と下部電極108とが対向配置される。上部電極106には,第1高周波電源114からの60MHzの第1高周波電力と,第3高周波電源126からの2MHzの第3高周波電力との重畳電力が印加される。下部電極108には,第2高周波電源122からの2MHzの第2高周波電力が印加される。位相制御器132は,第2および第3高周波電力の位相を検出し,第2および第3高周波電力が所定位相になるように,第2および第3高周波電源122,126を制御する。かかる構成により,均一なプラズマが生成され,下部電極108上のウェハWに均一な処理が施される。
請求項（抜粋）：
処理室内に対向配置された第1電極と第2電極との各々に高周波電力を印加して前記処理室内にプラズマを生成し,前記第2電極上に載置された被処理体にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において:前記第1電極に第1高周波電力を印加する第1高周波電源と;前記第2電極に前記第1高周波電力よりも低い周波数の第2高周波電力を印加する第2高周波電源と;前記第1高周波電力の周波数よりも低く前記第2高周波電力の周波数以上の周波数の第3高周波電力を出力し,前記第1高周波電力に前記第3高周波電力を重畳する第3高周波電源と;前記第2高周波電源と前記第3高周波電源に接続され,前記第2高周波電力の位相と前記第3高周波電力の位相との位相差を調整する位相制御手段と;を備えることを特徴とする,プラズマ処理装置。
IPC (3件)：
H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H05H 1/46
FI (4件)：
C23F 4/00 C ,  H05H 1/46 M ,  H05H 1/46 R ,  H01L 21/302 C
Fターム (19件)：
4K057DA11 ,  4K057DA12 ,  4K057DA16 ,  4K057DB06 ,  4K057DB20 ,  4K057DD03 ,  4K057DD08 ,  4K057DM05 ,  4K057DM18 ,  4K057DM33 ,  4K057DN01 ,  5F004AA01 ,  5F004BA04 ,  5F004BB11 ,  5F004BB16 ,  5F004BB17 ,  5F004BB32 ,  5F004CA03 ,  5F004DB03
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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