特許
J-GLOBAL ID:200903050684389893

プラズマエッチング装置およびエッチング方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 京本 直樹 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-016788
公開番号(公開出願番号):特開平10-214822
出願日: 1997年01月30日
公開日(公表日): 1998年08月11日
要約:
【要約】【課題】大口径のウェーハ基板上の被エッチング材料を微細で均一に加工できるようにする。【解決手段】本発明のプラズマエッチング装置は、プラズマ放電のなされるエッチング室を備え、且つ平行平板型電極を有するプラズマエッチング装置であって、前記平行平板電極を構成する下部電極と上部電極とに同一周波数の高周波を発生する高周波電源がそれぞれ接続され、前記同一周波数の高周波に位相差を設けるための位相差調整器が前記第1および第2の高周波電源間に接続されている。そして、高周波の位相が異なりパワーの異なる高周波が下部電極と上部電極とに独立に且つ同時に印加されて被エッチング材料のエッチングがなされる。
請求項(抜粋):
プラズマ放電のなされるエッチング室を備え、且つ平行平板型電極を有するプラズマエッチング装置であって、前記平行平板型電極を構成する下部電極と上部電極とに同一周波数の高周波を発生する高周波電源がそれぞれ接続され、前記同一周波数の高周波に位相差を設けるための位相差調整器が前記第1および第2の高周波電源間に接続されていることを特徴とするプラズマエッチング装置。
IPC (3件):
H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H05H 1/46
FI (4件):
H01L 21/302 B ,  C23F 4/00 A ,  C23F 4/00 E ,  H05H 1/46 M
引用特許:
審査官引用 (5件)
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