リッジ構造光導波路の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：光石俊郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-158259
公開番号（公開出願番号）：特開平11-006932
出願日： 1997年06月16日
公開日（公表日）： 1999年01月12日
要約：

【要約】【課題】リッジ構造光導波路の伝搬損失増大を抑制すると同時に、DCドリフトを抑制した素子を効率良く作製でき、素子の安定性及び量産性の向上を図ることを目的とする。【解決手段】少なくとも一本の光導波路302を備えた酸化物基板301と、前記基板301の一部分の厚さを掘り下げにより少なくして前記基板301に形成した突起部分308に前記少なくとも一本の光導波路302を配置したリッジ構造光導波路の製造方法のうち、前記酸化物基板301上に形成した薄膜パターン305,310をマスクとし、前記掘り下げ部分を製作する工程中、前記薄膜パターンを作成する工程において、前記酸化物基板301上に第一の薄膜として酸化物材料薄膜309を形成した後、前記酸化物材料薄膜309上に第二の薄膜303を形成し、その後フォトリソグラフィによって薄膜パターン305,310を形成することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

少なくとも一本の光導波路を備えた酸化物基板と、前記基板の一部分の厚さを掘り下げにより少なくして前記酸化物基板に形成した突起部分に前記少なくとも一本の光導波路を配置したリッジ構造光導波路の製造方法のうち、前記酸化物基板上に形成した薄膜パターンをマスクとし、前記掘り下げ部分を製作する工程中の、前記薄膜パターンを作成する工程において、前記酸化物基板上に第一の薄膜として酸化物材料薄膜を形成した後、前記酸化物材料薄膜上に第二の薄膜を形成し、その後フォトリソグラフィによって薄膜パターンを形成することを特徴とするリッジ構造光導波路の製造方法。

引用特許：

審査官引用 (1件)

光導波路デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-258110 出願人：京セラ株式会社

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