特許

J-GLOBAL ID：200903027162795466

ショットキ-・バリヤ・ダイオ-ドの製造方法

発明者： 小出 剛史 ,  菅原 利之 ,  中村 裕次
出願人/特許権者： 日本インター株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-371697
公開番号（公開出願番号）：特開2000-196108
出願日： 1998年12月28日
公開日（公表日）： 2000年07月14日
要約：

【要約】【目的】バリヤメタルの種類を固定し、その後の処理工程で要求されるSBDの特性を得て製造工程の標準化を可能にする。【解決手段】少なくとも2種類のバリヤハイトの異なる第1のバリヤメタル41と、第2のバリヤメタル42とを半導体基板1の表面に順次積層して、その後の熱処理によって所望するバリヤハイトのSBDを得るようにする。

請求項（抜粋）：

半導体基板の一方の主面に設けた絶縁膜の開口部に拡散係数Aを有する第1のバリヤメタルを被着する第1の工程と、次いで、前記第1のバリヤメタルの上面に、拡散係数Bが前記拡散係数Aとの関係でA<Bとなる第2のバリヤメタルを被着する第2の工程と、次いで、前記第1及び第2の工程を経た半導体基板に熱処理を施す第3の工程とを含むことを特徴とするショットキー・バリヤ・ダイオードの製造方法。

Fターム (8件)：

4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB18 ,  4M104CC03 ,  4M104DD78 ,  4M104DD83 ,  4M104FF13 ,  4M104HH17

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭48-025482
  
• 特開昭58-064066
  
• シヨツトキ障壁を有する半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-230187   出願人：サンケン電気株式会社