特許
J-GLOBAL ID：200903027180533061

半導体レーザ装置

発明者：
山中 弘文

山中 弘文 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-147398
公開番号（公開出願番号）：特開平10-335755
出願日： 1997年06月05日
公開日（公表日）： 1998年12月18日
要約：
【要約】【課題】 半導体レーザアレーから放射した光の集光度を高め、しかも光ファイバアレーから出力する光の密度を上げることのできる半導体レーザ装置の提供が望まれている。【解決手段】 半導体レーザアレー2で放射した光を光学系結合器11で集光して光ファイバアレー4に導き、光ファイバアレー4から出射する半導体レーザ装置10である。光学系結合器11は、半導体レーザアレー2から放射された光の垂直成分をコリメートする垂直成分コリメート部12と、水平成分をコリメートする水平成分コリメート部13とを有し、これにより半導体レーザアレー2から放射した光の垂直成分と水平成分とを共に集光して光ファイバアレー4に導くものである。
請求項（抜粋）：
半導体レーザアレーで放射した光を光学系結合器で集光して光ファイバアレーに導き、該光ファイバアレーから出射する半導体レーザ装置において、前記光学系結合器は、半導体レーザアレーから放射された光の垂直成分をコリメートする垂直成分コリメート部と、水平成分をコリメートする水平成分コリメート部とを有し、これにより半導体レーザアレーから放射した光の垂直成分と水平成分とを共に集光して光ファイバアレーに導くものであることを特徴とする半導体レーザ装置。
IPC (2件)：
H01S 3/18 ,  G02B 6/42
FI (2件)：
H01S 3/18 ,  G02B 6/42
引用特許：
審査官引用 (4件)
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