静電容量型磁界センサ

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：恩田博宣 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-589959
公開番号（公開出願番号）：特表2002-533683
出願日： 1999年12月17日
公開日（公表日）： 2002年10月08日
要約：

【要約】本発明は、静電容量型磁界センサに関する。このセンサは、互いに間隔を置いて測定容量を形成する第1の電極(2)と第2の電極(3)とを具備している。第1の電極(2)は第1の基体(4)上に配置され、第2の電極(3)は第2の基体(5)上に配置されている。第2の基体(5)は第2の電極(3)の領域で変形可能な膜として形成されている。第2の電極(3)と膜の領域に磁性体(6)が配置されていて膜及び第2の電極(3)と剛性的に接続されている。この剛性的な接続により外側磁界が磁性体に影響を及ぼすと、磁性体(6)の変位を生じさせるだけでなく、これと剛性的に接続されて膜及び第2の電極(3)の変位も生じさせる。第2の電極(3)のこの変位により、第1の電極(2)との間隔が、ひいては外側に位置している磁界に対する尺度として作用する測定容量が変化する。この静電容量型磁界センサは、外寸が非常に小さく、機械的に安定し、温度依存性がわずかであることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

互いに間隔を置いて測定容量を形成する第1の電極(2)と第2の電極(3)とを有し、第1の電極(2)が第1の基体(4)上に配置されるとともに、第2の電極(3)が第2の基体(5)上に配置され、第2の基体(5)が第2の電極(3)の領域で変形可能な膜として形成されている静電容量型磁界センサ(1)において、第2の電極(3)と膜の領域に磁性体(6)が配置され、膜及び第2の電極(3)に接続され、かつ外側磁界にて誘起された磁性体(6)の変位が、第2の電極(3)の膜上における変位を招来し、この変位が静電容量変化を招来することを特徴とする静電容量型磁界センサ。

Fターム (3件)：

2G017AA01 , 2G017AB05 , 2G017AD69

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開平4-148833
磁気センサ
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-054403 出願人：株式会社日立製作所
特開平4-249726

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