特許
J-GLOBAL ID：200903027238122792
選択成長導波型光制御素子
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-337929
公開番号（公開出願番号）：特開平7-202316
出願日： 1993年12月28日
公開日（公表日）： 1995年08月04日
要約：
【要約】【目的】 単一モード光ファイバ間挿入損失が小さく、かつ変調周波数帯域が広く、高速光通信用光制御素子として好適な選択成長半導体光制御素子を提供する。選択的結晶成長を用いると半導体レーザや光変調器を半導体のエッチングを行うことなく薄い誘電体マスクのパターニングだけで製作でき、ウェハ内の特性均一性やrun-to-runの特性再現性に優れる。しかし埋め込み構造の選択成長光制御素子では通常導電型基板、逆導電性埋め込み層ともキャリア濃度が高いので、その界面のホモ接合により大きな静電容量を生じ、変調周波数帯域が狭く、高速光通信システムに適用できない。【構成】 導電型基板120を低キャリア濃度としこれによりホモ接合の静電容量を低減させることができ、変調周波数帯域の拡大を可能とする。
請求項（抜粋）：
導電型半導体基板上に少なくとも導電型半導体光導波層、ノンドープ半導体吸収層もしくは半導体活性層もしくは半導体導波層、および逆導電型半導体第1クラッド層が順次積層されたメサストライプが選択成長により部分的に形成され、前記ノンドープ半導体吸収層もしくは半導体活性層もしくは半導体導波層のバンドギャップエネルギはストライプ方向で部分的に異なっており、前記メサストライプの上面および側面を覆って該メサストライプを埋め込む逆導電型半導体第2クラッド層および逆導電型半導体キャップ層がやはり選択成長によりメサストライプ状に形成され、前記ストライプ方向でバンドギャップエネルギが部分的に異なるノンドーブ半導体吸収層もしくは半導体活性層もしくは半導体導波層にバンドギャップが異なる部位にそれぞれ独立に電界を印加する手段を具備した集積構造半導体導波型光制御素子であって、前記導電型半導体基板と逆導電型半導体第2クラッド層との間に導電型低キャリア濃度半導体バッファ層が挿入されていることを特徴とする選択成長導波型光制御素子。
引用特許：
前のページに戻る
