特許
J-GLOBAL ID:200903027243880328

密着型エリアセンサ及び密着型エリアセンサを備えた表示装置

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-019635
公開番号(公開出願番号):特開2001-292276
出願日: 2001年01月29日
公開日(公表日): 2001年10月19日
要約:
【要約】【課題】 軽量、薄型、小型である密着型エリアセンサを提供する。【解決手段】 エリアセンサが有する画素は、光源としてのEL素子と、光電変換素子としてのフォトダイオードとをそれぞれ有しており、EL素子とフォトダイオードの動作をTFTで制御していることを特徴とする密着型エリアセンサ。
請求項(抜粋):
センサ基板上に複数の画素を有するセンサ部が設けられた密着型エリアセンサであって、前記複数の画素は、フォトダイオードと、EL素子と、複数の薄膜トランジスタとを有していることを特徴とする密着型エリアセンサ。
IPC (10件):
H04N 1/028 ,  G09F 9/00 366 ,  G09F 9/30 338 ,  G09F 9/30 365 ,  G09G 3/20 624 ,  G09G 3/20 641 ,  G09G 3/20 680 ,  G09G 3/20 691 ,  G09G 3/20 ,  G09G 3/30
FI (11件):
H04N 1/028 Z ,  G09F 9/00 366 A ,  G09F 9/30 338 ,  G09F 9/30 365 Z ,  G09G 3/20 624 B ,  G09G 3/20 641 E ,  G09G 3/20 680 H ,  G09G 3/20 691 B ,  G09G 3/20 691 D ,  G09G 3/20 691 E ,  G09G 3/30 J
引用特許:
審査官引用 (7件)
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