特許
J-GLOBAL ID:200903027243880328
密着型エリアセンサ及び密着型エリアセンサを備えた表示装置
発明者:
,
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-019635
公開番号(公開出願番号):特開2001-292276
出願日: 2001年01月29日
公開日(公表日): 2001年10月19日
要約:
【要約】【課題】 軽量、薄型、小型である密着型エリアセンサを提供する。【解決手段】 エリアセンサが有する画素は、光源としてのEL素子と、光電変換素子としてのフォトダイオードとをそれぞれ有しており、EL素子とフォトダイオードの動作をTFTで制御していることを特徴とする密着型エリアセンサ。
請求項(抜粋):
センサ基板上に複数の画素を有するセンサ部が設けられた密着型エリアセンサであって、前記複数の画素は、フォトダイオードと、EL素子と、複数の薄膜トランジスタとを有していることを特徴とする密着型エリアセンサ。
IPC (10件):
H04N 1/028
, G09F 9/00 366
, G09F 9/30 338
, G09F 9/30 365
, G09G 3/20 624
, G09G 3/20 641
, G09G 3/20 680
, G09G 3/20 691
, G09G 3/20
, G09G 3/30
FI (11件):
H04N 1/028 Z
, G09F 9/00 366 A
, G09F 9/30 338
, G09F 9/30 365 Z
, G09G 3/20 624 B
, G09G 3/20 641 E
, G09G 3/20 680 H
, G09G 3/20 691 B
, G09G 3/20 691 D
, G09G 3/20 691 E
, G09G 3/30 J
引用特許:
審査官引用 (7件)
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特開昭62-186320
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半導体装置およびその動作方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-297492
出願人:株式会社半導体エネルギー研究所, ティーディーケイ株式会社
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表示装置兼用型イメージセンサ装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-236352
出願人:セイコーエプソン株式会社
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光源一体型固体撮像装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-245162
出願人:ティーディーケイ株式会社, 株式会社半導体エネルギー研究所
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画像読取り装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-098501
出願人:キヤノン株式会社
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薄型光源を用いたイメージセンサ装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-246135
出願人:日本電気株式会社
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表示読取装置の駆動方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-040641
出願人:富士ゼロックス株式会社
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