特許

J-GLOBAL ID：200903027244563687

半導体集積回路装置

発明者： 寺尾 典之
出願人/特許権者： 株式会社リコー
代理人 (1件)： 青山 葆 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-031846
公開番号（公開出願番号）：特開平10-229165
出願日： 1997年02月17日
公開日（公表日）： 1998年08月25日
要約：

【要約】【課題】 より小さな電圧で所望のしきい値電圧の変化量を得ることができ、低電圧における高速動作と低スタンバイリーク電流を両立した半導体集積回路装置を提供する。【解決手段】 高電圧側電源線電圧Vddと低電圧側電源線電圧Vssとの間に接続された、PMOSFET1とNMOSFET2を備えたCMOS回路を含む半導体集積回路装置が提供される。スイッチSW1は動作モード信号に応じて高電圧側電源線電圧Vdd1とVdd2とを選択的に切り換えてVddを設定する。スイッチSW2は動作モード信号に応じてPMOSFET1の基板電圧Vbp1とVbp2とを選択的に切り換えてVbpを設定する。スイッチSW3は動作モード信号に応じてNMOSFETの基板電圧Vbn1とVbn2とを選択的に切り換えてVbnを設定する。スイッチSW4は動作モード信号に応じて低電圧側電源線電圧Vss1とVss2とを選択的に切り換えてVssを設定する。

請求項（抜粋）：

電圧Vddを有する高電圧側電源線と、電圧Vssを有する低電圧側電源線との間に接続された、PMOSFETとNMOSFETを備えたCMOS回路を含む半導体集積回路装置において、上記半導体集積回路装置の動作モード信号に応じて、それぞれ電源回路から供給された、第1の動作モードのときの高電圧側電源線電圧Vdd1と、第2の動作モードのときの高電圧側電源線電圧Vdd2とを選択的に切り換えて高電圧側電源線電圧Vddを設定する第1の切換手段と、上記動作モード信号に応じて、それぞれ電源回路から供給された、第1の動作モードのときのPMOSFETの基板電圧又はウェル電圧Vbp1と、第2の動作モードのときのPMOSFETの基板電圧又はウェル電圧Vbp2とを選択的に切り換えてPMOSFETの基板電圧又はウェル電圧Vbpを設定する第2の切換手段と、上記動作モード信号に応じて、それぞれ電源回路から供給された、第1の動作モードのときのNMOSFETの基板電圧又はウェル電圧Vbn1と、第2の動作モードのときのNMOSFETの基板電圧又はウェル電圧Vbn2とを選択的に切り換えてNMOSFETの基板電圧又はウェル電圧Vbnを設定する第3の切換手段と、上記動作モード信号に応じて、それぞれ電源回路から供給された、第1の動作モードのときの低電圧側電源線電圧Vss1と、第2の動作モードのときの低電圧側電源線電圧Vss2とを選択的に切り換えて低電圧側電源線電圧Vssを設定する第4の切換手段と、上記動作モード信号を発生して上記第1と第2と第3と第4の切換手段の切り換え動作を制御する制御手段を備えたことを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (8件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H03K 17/30 ,  H03K 17/687 ,  H03K 19/0175 ,  H03K 19/0948

FI (7件)：

H01L 27/04 M ,  H03K 17/30 E ,  H01L 27/04 B ,  H01L 27/08 321 J ,  H03K 17/687 F ,  H03K 19/00 101 F ,  H03K 19/094 B

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-071564   出願人：株式会社東芝
• 半導体集積回路装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-215658   出願人：三菱電機株式会社