特許
J-GLOBAL ID：200903027276712650
発光素子およびその製造方法、発光装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
上柳 雅誉
, 須澤 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-101646
公開番号（公開出願番号）：特開2007-280622
出願日： 2006年04月03日
公開日（公表日）： 2007年10月25日
要約：
【課題】エレクトロルミネッセンス素子の正孔輸送層の製造条件を変えても同等の素子特性を得ることのできる発光素子およびその製造方法を提供すること。【解決手段】発光装置100は、基板120上に下地保護膜が形成され、この下地保護膜上に、薄膜トランジスタ107などを構成するための半導体膜109aが島状に形成されている。半導体膜109aには不純物の導入によってソース・ドレイン領域109b、109cが形成され、不純物が導入されなかった部分がチャネル領域109dとなっている。下地保護膜および半導体膜109aの上層側にはゲート絶縁膜121が形成され、ゲート絶縁膜121上には走査線163およびゲート電極143が形成されている。走査線163、ゲート電極143およびゲート絶縁膜121の上層側には、第1層間絶縁膜122と第2層間絶縁膜123とがこの順に積層されている。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
少なくとも、基板上に陽極層、正孔輸送層、発光層および陰極層がこの順に積層された
発光画素を有する発光素子において、
前記陽極層の上に、前記陽極層の表面を複数の領域に分ける絶縁層を備えていることを
特徴とする発光素子。
IPC (4件)：
H05B 33/22
, H05B 33/12
, H01L 51/50
, H05B 33/10
H05B33/22 Z
, H05B33/12 B
, H05B33/14 A
, H05B33/10
, H05B33/22 D
3K107AA01
, 3K107BB01
, 3K107CC04
, 3K107CC21
, 3K107CC33
, 3K107DD71
, 3K107DD79
, 3K107DD89
, 3K107DD95
, 3K107DD96
, 3K107GG06
, 3K107GG08
