特許
J-GLOBAL ID:200903027295634520
半導体装置の製造方法及び半導体装置
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
川澄 茂
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-268413
公開番号(公開出願番号):特開2003-078076
出願日: 2001年09月05日
公開日(公表日): 2003年03月14日
要約:
【要約】【課題】QFN型あるいはSON型の半導体装置において、導体端子(リード)の露出不良を低減する。【解決手段】絶縁基板の表面に所定のパターンの導体端子を形成する導体端子形成工程と、前記導体端子が形成された絶縁基板上に半導体チップを接着し、前記半導体チップの外部電極(ボンディングパッド)と前記導体端子を電気的に接続する半導体チップ実装工程と、前記半導体チップ、前記導体端子、及び前記半導体チップの外部電極と前記導体端子との接続部分を絶縁体で封止する封止工程と、前記封止工程の後、前記絶縁体で封止された前記半導体チップ及び前記導体端子を前記絶縁基板から剥離する剥離工程とを備える半導体装置の製造方法であって、前記導体端子形成工程は、前記絶縁基板の表面に、所定の条件にしたときに前記絶縁基板との密着力が低下する導体を用いて前記導体端子を形成し、前記剥離工程は、前記所定の条件のもとで前記絶縁基板と前記導体端子との密着力を低下させてから剥離する半導体装置の製造方法である。
請求項(抜粋):
絶縁基板の表面に所定のパターンの導体端子を形成する導体端子形成工程と、前記導体端子が形成された絶縁基板上に半導体チップを接着し、前記半導体チップの外部電極(ボンディングパッド)と前記導体端子を電気的に接続する半導体チップ実装工程と、前記半導体チップ、前記導体端子、及び前記半導体チップの外部電極と前記導体端子との接続部分を絶縁体で封止する封止工程と、前記封止工程の後、前記絶縁体で封止された前記半導体チップ及び前記導体端子を前記絶縁基板から剥離する剥離工程とを備える半導体装置の製造方法であって、前記導体端子形成工程は、前記絶縁基板の表面に、所定の条件にしたときに前記絶縁基板との密着力が低下する導体を用いて前記導体端子を形成し、前記剥離工程は、前記所定の条件のもとで前記絶縁基板と前記導体端子との密着力を低下させてから剥離することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (5件):
H01L 23/28
, H01L 21/56
, H01L 23/12 501
, H01L 23/12
, H01L 23/50
FI (5件):
H01L 23/28 A
, H01L 21/56 T
, H01L 23/12 501 T
, H01L 23/12 501 W
, H01L 23/50 G
Fターム (18件):
4M109AA01
, 4M109BA01
, 4M109CA21
, 4M109FA07
, 5F061AA01
, 5F061BA01
, 5F061CA21
, 5F061DD14
, 5F061EA03
, 5F067AA09
, 5F067AA11
, 5F067AB03
, 5F067BC12
, 5F067BE10
, 5F067CC00
, 5F067CC08
, 5F067DE14
, 5F067DF01
引用特許:
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