特許
J-GLOBAL ID:200903027299047165

窒化アルミニウムおよび半導体製造用装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 杉村 暁秀 (外5名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-218257
公開番号(公開出願番号):特開平9-048669
出願日: 1995年08月04日
公開日(公表日): 1997年02月18日
要約:
【要約】【課題】窒化アルミニウムに黒色化剤のような金属化合物、特に重金属化合物を添加することなく、窒化アルミニウムの明度を小さくし、その色を黒色に近づけることである。【解決手段】窒化アルミニウムのレーザーラマン分光測定スペクトルにおいて、133cm-1のピークの高さI(133)と、680cm-1のピークの高さI(680)の比率I(133)/I(680)が0.3以上である。好ましくは、I(133)/I(680)が0.4以上であり、JIS Z 8721に規定する明度が4以下であり、AlNからなる主結晶相と、ALONからなる副結晶相とを備えており、相対密度が92%以上である。
請求項(抜粋):
窒化アルミニウムのレーザーラマン分光測定スペクトルにおいて、133cm-1のピークの高さI(133)と、680cm-1のピークの高さI(680)の比率I(133)/I(680)が0.3以上であることを特徴とする、窒化アルミニウム。
IPC (3件):
C04B 35/581 ,  C01B 21/072 ,  H01L 21/324
FI (4件):
C04B 35/58 104 Z ,  C01B 21/072 B ,  H01L 21/324 H ,  H01L 21/324 Z
引用特許:
審査官引用 (2件)

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