特許
J-GLOBAL ID：200903027325495562
半導体発光素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-338536
公開番号（公開出願番号）：特開2003-142728
出願日： 2001年11月02日
公開日（公表日）： 2003年05月16日
要約：
【要約】【課題】 Si基板と窒化物半導体との界面におけるクラックの発生を防止することができる半導体発光素子の製造方法および半導体発光素子を提供する。【解決手段】 半導体発光素子の製造方法は、シリコン基板上に、複数の開口部を有するマスク層を設ける工程と、該マスク層の各開口部に、窒化物半導体材料によって発光層を有する柱状多層構造体を形成する工程とを包含しており、該開口部間における該マスク層の幅は、10μm以下になっている。
請求項（抜粋）：
複数の開口部が形成されたマスク層をシリコン基板上に設ける工程と、該マスク層に形成された各開口部に、発光層を有する柱状多層構造体を窒化物半導体材料によってそれぞれ形成する工程とを包含しており、該開口部間における該マスク層の幅は、10μm以下になっていることを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
Fターム (10件)：
5F041AA40
, 5F041CA05
, 5F041CA23
, 5F041CA33
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F041CA65
, 5F041CA74
, 5F041CA88
