特許

J-GLOBAL ID：200903027331476235

半導体レーザ

発明者： 福永 敏明 ,  和田 貢
出願人/特許権者： 富士写真フイルム株式会社
代理人 (1件)： 柳田 征史 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-076301
公開番号（公開出願番号）：特開平9-270558
出願日： 1996年03月29日
公開日（公表日）： 1997年10月14日
要約：

【要約】【課題】 0.75-1.1μm 帯の歪量子井戸半導体レーザにおいて、高出力発振下における信頼性を向上させる。【解決手段】 n-GaAs基板2上に、n-Inx4(Ga1-z4Alz4)1-x4As1-y4Py4 クラッド層3、n-Inx3(Ga1-z3Alz3)1-x3As1-y3Py3光導波層4、引張り歪のi-Ga1-z2Alz2As1-y2Py2障壁層5、圧縮歪のi-Inx1Ga1-x1As1-y1Py1 活性層6、引張り歪のi-Ga1-z2Alz2As1-y2Py2障壁層7、p-Inx3(Ga1-z3Alz3)1-x3As1-y3Py3光導波層8、p-Inx4(Ga1-z4Alz4)1-x4As1-y4Py4 クラッド層9、p-GaAsコンタクト層10を順次成長させる。障壁層5、7は、活性層6の圧縮歪を補償する歪量の引張り歪を有する。

請求項（抜粋）：

III-V族化合物半導体であるGaAs基板上に少なくとも第一クラッド層、第一光導波層、第一障壁層、活性層、第二障壁層、第二光導波層および第二クラッド層を順次積層させて形成する半導体レーザにおいて、前記各層がV族の組成としてAsおよびP 元素を含み、前記第一および第二クラッド層と前記第一および第二光導波層が前記GaAs基板に格子整合する組成からなり、前記活性層が前記GaAs基板に対して圧縮性歪を生じる組成からなり、前記活性層の前記圧縮性歪を補償するため前記第一および第二障壁層が引張り歪を生じる組成からなることを特徴とする半導体レーザ。

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-122379   出願人：富士写真フイルム株式会社
• 半導体光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-164732   出願人：古河電気工業株式会社