半導体発光素子及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：外川英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-057791
公開番号（公開出願番号）：特開2000-261042
出願日： 1999年03月05日
公開日（公表日）： 2000年09月22日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】n型クラッド層とp型クラッド層との間のリーク電流を防止し、ESD耐圧を向上させた半導体発光素子及びその製造方法を提供すること。【解決手段】上部電極11まで形成した半導体発光素子形成用ウェーハの発光素子と発光素子との間の素子分離領域に、断面形状がV字状で深さがn型クラッド層3に達する程度のトレンチ12を形成し、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜等の絶縁膜13で埋め込む。その後、GaAs基板1の裏面を所定の厚さになるまで削り下部電極14を形成した後に、スクライブ工程によりLED素子にチップ化する。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板上に形成され活性層を介して下部クラッド層及び上部クラッド層を有する発光層と、前記発光層上に形成された前記上部クラッド層と同導電型の電流拡散層と、前記電流拡散層上の所定の領域に形成された複数の電流ブロック層と、前記電流拡散層上及び前記電流ブロック層上に形成された透明電極と、前記各電流ブロック層上の前記透明電極上に形成された複数の上部電極と、前記上部電極間に形成された少なくとも下部クラッド層に達する深さのトレンチと、前記トレンチ内に少なくとも内壁を覆うように形成された絶縁膜とを具備したことを特徴とする半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01L 33/00 , H01L 21/31

FI (3件)：

H01L 33/00 Z , H01L 33/00 A , H01L 21/31 Z

Fターム (21件)：

5F041AA25 , 5F041AA43 , 5F041CA04 , 5F041CA12 , 5F041CA34 , 5F041CA35 , 5F041CA74 , 5F041CA75 , 5F041CA76 , 5F041CA77 , 5F041CA85 , 5F041CA88 , 5F041CB11 , 5F041CB15 , 5F045AA19 , 5F045AB32 , 5F045AB33 , 5F045AB40 , 5F045BB14 , 5F045CA10 , 5F045HA16

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平4-250673
特開昭64-036090
半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-333000 出願人：株式会社東芝

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