ユニポーラ半導体レーザ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：吉田精孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-038670
公開番号（公開出願番号）：特開平8-236854
出願日： 1995年02月27日
公開日（公表日）： 1996年09月13日
要約：

【要約】【目的】発振波長が2μm以下でかつ低駆動電圧・低発振閾値特性を有するユニポーラ半導体レーザを提供する。【構成】 InPに格子整合したInGaAs井戸層1,2を、InPに格子整合したAlAsSb障壁層3,4,5を介して結合して結合量子井戸を構成し、これに電子または正孔のいずれか一方を注入し、この結果、生ずる結合量子井戸中の伝導帯または価電子帯のサブバンド間遷移により発光を行う。

請求項（抜粋）：

バンドギャップの異なる2種以上の半導体材料を接合させて形成される井戸層を少なくとも2個、バンドギャップの大きな障壁層を介して結合した結合量子井戸に電子または正孔のいずれか一方を注入し、この結果、生ずる結合量子井戸中の伝導帯または価電子帯のサブバンド間遷移による発光を利用するユニポーラ半導体レーザにおいて、障壁層をInPに格子整合したAlAsSbとし、井戸層をInPに格子整合したInGaAsとしたことを特徴とするユニポーラ半導体レーザ。

引用特許：

審査官引用 (1件)

半導体レーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-290001 出願人：富士通株式会社

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