特許

J-GLOBAL ID：200903027355464220

半導体素子及びその製造方法

発明者： 宮本 和弘 ,  五月女 博明 ,  佐藤 弘之 ,  森川 謙一
出願人/特許権者： スタンレー電気株式会社
代理人 (1件)： 高橋 敬四郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-351051
公開番号（公開出願番号）：特開2001-168392
出願日： 1999年12月10日
公開日（公表日）： 2001年06月22日
要約：

【要約】【課題】 p型ZnO系単結晶層に対して良好なオーミック電極を有する半導体素子を形成する。【解決手段】 p型ZnO系単結晶層107と、それに接触し、Ni、Rh、Pt、Pdおよびこれらの合金の群から選択された少なくとも1種を含む第1金属層108aと、その上に形成され、第1金属層108aとは異なる金属、又はそれらの合金を含む第2金属層108bとを含む。

請求項（抜粋）：

p型ZnO系単結晶層と、前記p型ZnO系単結晶層に接触し、Ni、Rh、Pt、Pdおよびこれらの合金の群から選択された少なくとも1種を含む第1金属層と、前記第1金属層の上に形成され、前記第1金属層とは異なる金属、又はそれらの合金を含む第2金属層とを含む半導体素子。

IPC (3件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/363

FI (3件)：

H01L 33/00 D ,  H01L 21/28 301 Z ,  H01L 21/363

Fターム (40件)：

4M104AA06 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB09 ,  4M104BB39 ,  4M104CC01 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104DD79 ,  4M104DD80 ,  4M104FF13 ,  4M104GG04 ,  4M104GG05 ,  4M104HH15 ,  5F041AA21 ,  5F041CA05 ,  5F041CA41 ,  5F041CA46 ,  5F041CA55 ,  5F041CA57 ,  5F041CA66 ,  5F041CA83 ,  5F041CA92 ,  5F041CA98 ,  5F103AA01 ,  5F103AA04 ,  5F103BB07 ,  5F103BB08 ,  5F103DD28 ,  5F103DD30 ,  5F103HH04 ,  5F103KK03 ,  5F103KK10 ,  5F103LL02 ,  5F103PP12 ,  5F103PP13 ,  5F103RR05

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-082043   出願人：科学技術振興事業団

審査官引用 (1件)

• 半導体デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-082043   出願人：科学技術振興事業団