特許

J-GLOBAL ID：200903018952598700

半導体デバイス

発明者： 川崎 雅司 ,  大野 英男 ,  大友 明
出願人/特許権者： 科学技術振興事業団
代理人 (1件)： 橋爪 健
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-082043
公開番号（公開出願番号）：特開2000-277534
出願日： 1999年03月25日
公開日（公表日）： 2000年10月06日
要約：

【要約】【課題】 バルク単結晶に匹敵する高品質の薄膜を作成し、特性の優れた半導体デバイスを作成する。【解決手段】 チャネル層11は、例えば、酸化亜鉛ZnO等の半導体で形成される。チャネル層111には、ソース12、ドレイン13、ゲート14、ゲート絶縁層15が設けられ、FETが形成される。基板16は、チャネル層11の薄膜材料に応じて、両者の格子定数の整合性を考慮して適宜のものが選択される。例えば、チャネル層の半導体のベースをZnOとすると、基板16は、ScAlMgO4等を用いることができる。

請求項（抜粋）：

LnABO4又はLnAO3(BO)n(Ln:Sc,In,Lu,Yb,Tm,Ho,Er,Y等の希土類元素、A:Fe,Ga,Al、B:Mn,Co,Fe,Zn,Cu,Mg,Cd)を基本構造とするいずれかの材料を用いた基板と、酸化亜鉛ZnO、酸化マグネシウム亜鉛MgxZn1-xO、酸化カドミウム亜鉛CdxZn1-xO、酸化カドミウムCdO等のII族酸化物のいずれかの材料を用い、前記基板上に形成された半導体層とを備えた半導体デバイス。

IPC (5件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 27/15 ,  H01L 29/786 ,  H01L 33/00

FI (5件)：

H01L 29/80 B ,  H01L 27/15 B ,  H01L 33/00 D ,  H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/78 626 C

Fターム (19件)：

5F041AA40 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA41 ,  5F041CA46 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ01 ,  5F102GL00 ,  5F102HC07 ,  5F110AA01 ,  5F110CC01 ,  5F110CC05 ,  5F110DD01 ,  5F110DD04

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 基板上にIII-V属窒化物半導体材料を有する素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-039556   出願人：エイ・ティ・アンド・ティ・アイピーエム・コーポレーション