特許

J-GLOBAL ID：200903027362974632

半導体レーザおよび製造方法

発明者： 田中 清武 ,  木戸口 勲 ,  足立 秀人 ,  高森 晃 ,  福久 敏哉 ,  萬濃 正也
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-141416
公開番号（公開出願番号）：特開平9-326531
出願日： 1996年06月04日
公開日（公表日）： 1997年12月16日
要約：

【要約】【課題】 高出力を得られるGaInP/AlGaInP系半導体レーザを提供する。【解決手段】 GaInP/AlGaInP系半導体レーザの高反射コーティング膜に、ECRCVD装置により形成した水素化アモルファスシリコン膜401を用いる。ECRCVD装置により形成した水素化アモルファスシリコン膜401は屈折率が高く、高反射コーティング膜を形成でき、吸収係数が低くいのでコーティング膜の光学破壊が発生しない。よって高出力の半導体レーザを実現できる。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された活性層と、該活性層を挟む一対のクラッド層とを備えた半導体レーザであって、前記半導体レーザの共振器端面の少なくとも一方が、構成元素に珪素を含む第一の絶縁物と、第二の絶縁物である水素化アモルファスシリコンとを少なくとも一周期以上交互に積層した構造によって形成されている半導体レーザ。

IPC (3件)：

H01S 3/18 ,  C23C 14/35 ,  H05H 1/46

FI (3件)：

H01S 3/18 ,  C23C 14/35 ,  H05H 1/46 C

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体レーザ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-176901   出願人：日本電装株式会社
• 特開昭59-033837
  
• 特開昭63-244625
  
• 特開平4-088691