特許

J-GLOBAL ID：200903074918330223

半導体レーザ素子

発明者： 木村 裕治 ,  渥美 欣也 ,  安部 克則 ,  松下 規由起
出願人/特許権者： 日本電装株式会社
代理人 (1件)： 伊藤 洋二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-176901
公開番号（公開出願番号）：特開平8-046285
出願日： 1994年07月28日
公開日（公表日）： 1996年02月16日
要約：

【要約】【目的】 ストライプ幅が100μm以上の大出力型の半導体レーザ素子において、端面コートのない状態より高光出力を得る。【構成】 活性層4における発光領域のストライプ幅が100μm以上で、光の出射方向に対する前端面および後端面に、単層または多層の光学薄膜が設けられてたものであって、前端面の反射率を5%〜25%、後端面の反射率を90〜100%とした。

請求項（抜粋）：

発光領域のストライプ幅が100μm以上で、光の出射方向に対する前端面および後端面に、単層または多層の光学薄膜が設けられている半導体レーザ素子であって、前記前端面の反射率を5%以上にしたことを特徴とする半導体レーザ素子。

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体レーザ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-181398   出願人：日本電気株式会社
• フレア構造半導体レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-153195   出願人：日本電気株式会社