特許

J-GLOBAL ID：200903027370390240

光素子の実装構造

発明者： 金山 義信 ,  伊藤 正▲隆▼ ,  本望 宏 ,  佐々木 純一
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-023857
公開番号（公開出願番号）：特開平7-235566
出願日： 1994年02月22日
公開日（公表日）： 1995年09月05日
要約：

【要約】【目的】光素子を無調整で高精度に実装することにより、製造コストを下げ、かつ大量生産を容易にする。【構成】シリコン基板4上には、SiO2 で形成された高さHx(μm)の互いに平行な位置決め台3a,3bと、Cr膜とAu膜を積層して設けた直径50μmの円形電極パッド6a,6b,6c,6dが形成されている。円形電極パッド6a,6b,6c,6dは、レーザダイオードチップ1に形成された4つの電極パッド5と同じ間隔で形成されている。電極パッド6a,6b,6c,6d上には、それぞれAuSnの半田が供給され、加熱溶融によって半球状グレインの半田バンプ2が形成される。半田バンプ2のトップのシリコン基板4からの高さHyと位置決め台3a,3bの高さHxとの差(Hy-Hx)は、レーザダイオードチップ1の仮置き時の水平方向の位置ずれ量sよりも小さい。

請求項（抜粋）：

第1の電極パッドを有する光素子チップを実装する基板と、前記基板上の前記第1の電極パッドに対応する位置に形成された第2の電極パッドと、前記第2の電極パッド上に形成され前記光素子チップを載せる半田バンプと、前記基板上に形成され、前記光素子チップを載せた状態で前記半田バンプを溶融した後に前記光素子チップが静置される所定の高さの位置決め台とを含み、前記基板表面から前記半田バンプのトップまでの高さHyと前記位置決め台の高さHxと前記第1の電極パッドの前記第2の電極パッドに対する位置ずれ量sとの関係が(Hy-Hx)≧sであることを特徴とする光素子の実装構造。

IPC (3件)：

H01L 21/60 311 ,  G02B 6/42 ,  H01S 3/18

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭58-157146
  
• 特開平4-236435
  
• TABチツプの搭載用基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-201674   出願人：松下電器産業株式会社
• 特開平2-105548